鎧俠 (Kioxia，原東芝半導(dǎo)體Toshiba)今日宣布,，該公司已成功開發(fā)具有112層垂直堆疊結(jié)構(gòu)的第五代BiCS FLASH™三維(3D)閃存,。鎧俠計(jì)劃開始在2020年第一季度為特定應(yīng)用提供樣品,，新產(chǎn)品具有512 Gb（64千兆字節(jié)）容量并采用TLC（每單元3位數(shù)據(jù)）技術(shù)*1。這款新產(chǎn)品旨在滿足對(duì)各種應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的位需求,，包括傳統(tǒng)移動(dòng)設(shè)備,、消費(fèi)類和企業(yè)類固態(tài)硬盤(SSD)、新的5G網(wǎng)絡(luò)支持的新興應(yīng)用,、人工智能和自動(dòng)駕駛車輛,。
展望未來，鎧俠將其新的第五代工藝技術(shù)應(yīng)用于更大容量的閃存產(chǎn)品,，例如1 Tb（128千兆字節(jié)）TLC和1.33 Tb QLC（每單元4位數(shù)據(jù)）產(chǎn)品,。
鎧俠創(chuàng)新的112層堆疊工藝技術(shù)與先進(jìn)的電路和制造工藝技術(shù)相結(jié)合，與96層堆疊工藝相比,，將存儲(chǔ)單元陣列密度提高約20%,。因此，每片硅晶圓可以制造的存儲(chǔ)容量更高,，從而也降低了每位的成本（Bit-cost）,。此外，它將接口速度提高50%,，并提供更高的寫性能和更短的讀取延遲,。
自2007率先發(fā)布采用3D堆疊結(jié)構(gòu)的閃存以來*2 ，鎧俠一直在推進(jìn)3D閃存的開發(fā),，并積極推廣BiCS FLASH™,，以滿足對(duì)更小芯片尺寸和更大容量的需求。
第五代BiCS FLASH™是與技術(shù)和制造合作伙伴西部數(shù)據(jù)公司(Western Digital Corporation)共同開發(fā)的,。它將在鎧俠的四日市工廠和新建的北上工廠生產(chǎn),。
注：
1. 并非所有功能都已經(jīng)過測(cè)試，且設(shè)備特性將來可能變更,。
2. 來源：鎧俠株式會(huì)社,，截至2007年6月12日。
* 本文提及的所有其他公司名稱,、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo),。
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