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Transphorm Inc - 設計和制造符合 JEDEC 和 AEC-Q101 標準的氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET),，用于高壓功率轉換應用 - 表示功率半導體產品美國德克薩斯州普萊諾的供應商 Diodes Inc 推出了使用其 SuperGaN FET 的完整 130W USB Type-C 供電 (PD) 3.0 適配器評估和開發(fā)套件,。

該套件將 Diodes 的高性能有源鉗位反激 (ACF) 控制器與 Transphorm 的具有輸入功率因數校正 (PFC) 的專利常關型 SuperGaN Gen IV 器件配對,。與增強型 GaN 和基于硅的系統(tǒng)相比，由此產生的解決方案提供了低待機功耗,、更高效率,、據稱是前所未有的熱性能以及最優(yōu)的系統(tǒng)材料清單 (BOM) 成本。它超過了 DOE VI 和 COC Tier 2 能效要求,，并允許提高功率密度,。

Diodes 的 ACF 解決方案旨在利用配置中的下一代電源轉換技術，在 USB PD 充電應用中提供比傳統(tǒng)反激系統(tǒng)更高的性能和顯著低于半橋諧振 LLC 解決方案的成本,。據估計,，新的 130W ACF SuperGaN 套件也不例外，可以輕松快速地評估先進技術,，同時加快上市時間,。能力包括：高功率峰值效率（>93.5%）；高功率因數（>0.90 超過 60% 負載）,；超低總諧波失真 (THD)（<18% over line over 60% load）,；低待機功率（<43mW）；和最低開關溫度（<75°C）,。

該套件使用三個主要的 Diodes 控制器和兩個 Transphorm 的 SuperGaN FET：

AP3306：高度集成的ACF控制器,，專為超低待機功耗和高功率密度要求而設計，并具有全面的保護機制,；

APR340：用于二次側同步整流的MOSFET驅動器,；

AP43771V：USB Type-C PD3.0 解碼器，具有開/關 N 溝道 MOSFET 控制和強大的保護功能,；和

TP65H150G4LSG 器件：SuperGaN 650V,、150mΩ FET，分別用于 PFC 控制和 ACF 控制級,。

“Diodes 的 AP3306 ACF 控制器為 45W 至 140W 的各種電源適配器提供高集成度,、低待機功耗、最佳系統(tǒng)成本和多功能保護,，而我們的 AP43771V USB-PD 控制器提供 PPS 具有一個具有虛擬多Diodes 的 ACDC 電源與照明 (APL) 部門經理 Ernest Lin 表示,，該區(qū)域可用于定制，支持不同的快速充電器功率配置文件,�,！癟ransphorm 的 SuperGaN 技術使我們能夠提供最高效率、最低器件溫度和最終高功率密度的適配器系統(tǒng),，該系統(tǒng)易于驅動,，無需任何額外的驅動器或復雜的接口，”他補充道,。

“Diodes 是 USB-PD 適配器市場中多個控制器的創(chuàng)新者和供應商,，其開發(fā)套件是一個寶貴的機會,，可幫助客戶快速實現 GaN 電源轉換為高性能筆記本電腦帶來的好處，”副總裁 Tushar Dhayagude 評論道,。技術銷售和現場應用,，Transphorm�,！斑m配器市場才剛剛開始通過先進的 ACF 拓撲實現功率和成本節(jié)約,，因為我們看到更多大于 100W 的充電器進入市場，”他補充道,�,！癟ransphorm 的 SuperGaN FET 結合了最高效率、簡單的設計和可驅動性以及市場上最強大和最高的柵極抗噪能力,�,！�

簡單易用的 130W USB PD ACF 套件允許制造商快速定制和實施具有 USB-C、PPS 和多協議配置的 90W 至 150W 適配器設計,。該套件現可根據 Diodes 的要求提供,。

有關樣品、詳細規(guī)格,、價格和交貨報價及更多信息,，請聯系當地的Transphorm代理商進行詢問。