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東芝將與全球最大的內存卡廠商美國閃迪聯(lián)手在日本三重縣新建數(shù)碼家電存儲媒體使用的半導體存儲器的最尖端工廠,。計劃最早將于2014年度啟動量產(chǎn),，投資額為4千億日元(約合人民幣252億元)。這是東芝時隔約2年再次進行增產(chǎn)投資,。屆時,，產(chǎn)能將提高2成。在日本半導體產(chǎn)業(yè)不斷萎縮的背景下,，東芝希望借此來提高競爭力,，追趕該領域排名第1的韓國三星電子。
目前,，東芝通過與閃迪的合資公司生產(chǎn)NAND型閃存,。新工廠將在合資公司運營的日本三重縣四日市市的廠區(qū)內建設。東芝與閃迪各出資50%,，東芝將承擔2千億日元(約合人民幣126億元)左右,。目前的產(chǎn)能按直徑300毫米的晶圓計算，估計每月為45萬片,，而新工廠投產(chǎn)后產(chǎn)能每月可增加10萬余片,。
在日本的半導體業(yè)界，瑞薩電子決定關閉系統(tǒng)LSI(大規(guī)模集成電路)的最尖端工廠,。爾必達存儲器則打算在美國大型半導體廠商美光科技旗下實現(xiàn)重建,。
在日本同行業(yè)不斷萎縮的背景下，東芝在NAND型閃存的全球份額方面卻僅次于三星屈居第二,。據(jù)美國環(huán)球透視公司(IHS Global)調查,，2012年按供貨量計算，三星的份額為37%，東芝為31%,。東芝希望通過大規(guī)模投資來縮小與三星的差距,。
東芝計劃利用新工廠的生產(chǎn)線量產(chǎn)線寬在16~17納米的產(chǎn)品，而目前的產(chǎn)品線寬為19納米,。通過縮小線寬,，可增加每片硅晶圓生產(chǎn)的半導體個數(shù)、提高生產(chǎn)效率,，從而在價格競爭方面與超過三星,。
另一方面,，預計三星也最早將于2014年量產(chǎn)把幾個芯片重疊在一起的尖端產(chǎn)品,。由于三星和東芝分別投入最新技術，推進半導體的小型化和生產(chǎn)的高效化,，因此,，今后半導體競爭將進入新的階段。
受08年雷曼危機影響,，NAND型閃存需求曾大幅下滑,，價格與個人電腦用的DRAM同時下跌。東芝去年夏季決定減產(chǎn)3成,。不過,，眼下得益于智能手機和平板終端的普及，行情開始復蘇,。東芝方面,，來自美國蘋果和中國企業(yè)的訂單增多。再加上日元趨于貶值,，從今年春季開始東芝的工廠一直處于滿負荷開工狀態(tài),。
因此，東芝決定投資200億-300億日元(約合人民幣12.6-18.9元),，在四日市工廠的現(xiàn)有廠房內新增生產(chǎn)設備,。東芝認為從中期來看市場將繼續(xù)增長，因此決定實施投資,。東芝打算在2015年度之前分階段進行投資,，如果行情出現(xiàn)惡化則將延長投資期限。