Tagore 推出 650V GaN 功率 IC TP44200NM
Tagore Technology 宣布推出采用緊湊型 22 引腳、5mm x 7mm QFN 封裝的 TP44200NM 650V 氮化鎵功率 FET,,集成驅動器 IC,。新器件提供 180mOhm 的低 RDS (ON)和快速開關,可為各種需要高功率密度的應用(包括 USB-PD 充電器,、服務器和電信 AC-DC)在小尺寸內提供高效,、低成本的電源解決方案電源,功率因數校正(PFC)轉換器,。
TP44200NM 電源 IC 具有 650V E 模式GaN 功率 FET,、驅動器、UVLO 和高 dv/dt 抗擾度(帶電源和不帶電源) - 全部單片集成在 GaN-on-Si 襯底上,。該器件具有低傳播延遲,,適用于高頻應用,并通過外部電阻控制壓擺率,。
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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)(2025年1月22日更新)
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