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ISSI 的閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導向應用,。

ISSI 的 IS34ML/MW SLC NAND 閃存的圖片ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND 產(chǎn)品為嵌入式市場補充了串行和并行 NOR 產(chǎn)品,。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND 器件的密度分別為 1 Gb、2 Gb 和 4 Gb,。

SLC NAND 閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導向應用,。SLC 每個存儲單元存儲 1 位數(shù)據(jù)，并提供快速讀寫功能。這些產(chǎn)品適用于要求 1 位或 4 位 ECC 算法的系統(tǒng),，并提供 100 K 周期的耐久性和 10 年的保留期,。

特性

供電電壓：

VCC: 2.7 V 至 3.6 V（IS34ML 系列）

VCC: 1.7 V 至 1.95 V（IS34MW 系列）

靈活的 x8 或 x16 選擇

均勻的高性價比塊

塊擦除時間：3 ms（典型值）

自動讀操作

硬件數(shù)據(jù)保護

100 K 編程/擦除周期

數(shù)據(jù)保持時間：10 年

支持每 512 字節(jié) 1 位或 4 位 ECC

工業(yè)溫度范圍：-40°C 至 +85°C

擴展溫度范圍：-40°C 至 105°C

行業(yè)標準封裝：48 引腳 TSOP 和 63 引腳 (9 mm x 11 mm BGA)

應用

汽車信息娛樂

儀表組

ADAS

工業(yè)儀表

工業(yè)傳感器

M2M

POS 終端

智能計量

游戲機

打印機

數(shù)碼相機

數(shù)字電視

機頂盒