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    深圳市南皇電子有限公司長期提供SIR800DP-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購,、免費(fèi)樣品
    
  
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    SIR800DP-T1-GE3 - 南皇電子長期提供競爭力的價格,、訂貨及技術(shù)支持,，Vishay代理穩(wěn)定貨源,。
    

    

    

    

    圖片信息
    

    SIR800DP-T1-GE3圖片
    

    

    

    

    基本技術(shù)信息：
    

  2. 電子器件型號：SIR800DP-T1-GE3
    3. 

  3. 原始制造廠商：Vishay,，威世
    4. 

  4. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
    5. 

  5. 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET,，MOSFET - 單個
    6. 

  6. 點(diǎn)擊此處下載SIR800DP-T1-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
    7. 

  7. 現(xiàn)貨供應(yīng),，最快當(dāng)日出貨,，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    8. 

    

    

    

    

    

    

    技術(shù)參數(shù)詳解：
    

  8. 制造商產(chǎn)品型號：SIR800DP-T1-GE3
  9. 制造商：Vishay Siliconix
  10. 描述：MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
  11. 系列：晶體管 - FET,，MOSFET - 單個
  12. 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
  13. 零件狀態(tài)：有源
  14. FET類型：N 通道
  15. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  16. 漏源電壓（Vdss）：20V
  17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：50A（Tc）
  18. 驅(qū)動電壓（最大RdsOn,，最小RdsOn）：2.5V，10V
  19. 不同Id,、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.3 毫歐 @ 15A,，10V
  20. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  21. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：133nC @ 10V
  22. Vgs（最大值）：±12V
  23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：5125pF @ 10V
  24. FET功能：-
  25. 功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），69W（Tc）
  26. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  27. 安裝類型：表面貼裝型
  28. 器件封裝：PowerPAK? SO-8
  29. SIR800DP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,，長期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品,！
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    Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
    

    

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    除Vishay外,，我司還在以下品牌具有優(yōu)勢：ESMT | EPCOS | Ecliptek | DAVICOM | CML Microcircuits |