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深圳市南皇電子有限公司長期提供SI3853DV-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
SI3853DV-T1-GE3圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：SI3853DV-T1-GE3
  • 原始制造廠商：Vishay,，威世
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.6A 6TSOP
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SI3853DV-T1-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：SI3853DV-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 1.6A 6TSOP
  • 系列：晶體管 - FET,，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：LITTLE FOOT?
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：P 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.6A（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn,，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id,、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：200 毫歐 @ 1.8A,，4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：500mV @ 250μA（最小）
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：肖特基二極管（隔離式）
  • 功率耗散（最大值）：830mW（Ta）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：6-TSOP
  • SI3853DV-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品,！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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