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圖片信息
K4T1G164QJ-BHF8圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：K4T1G164QJ-BHF8
  • 原始制造廠商：Samsung,，三星半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
  • 產(chǎn)品應用分類：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 點擊此處下載K4T1G164QJ-BHF8的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 三星芯片型號：K4T1G164QJ-BHF8
  • 制造商：SAMSUNG（三星半導體）
  • 功能類別：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 容量：1Gb
  • 架構(gòu)：64M x 16
  • 速率：1066 Mbps
  • 工作電壓：1.8 V
  • 工作溫度：-40 ~ 105 °C
  • 封裝：84FBGA
  • 產(chǎn)品狀態(tài)：樣品
  • K4T1G164QJ-BHF8均從三星半導體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品,！
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