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圖片信息
K4A8G165WB-BIRC圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：K4A8G165WB-BIRC
  • 原始制造廠商：Samsung,，三星半導體
  • 技術標準參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
  • 產品應用分類：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 點擊此處下載K4A8G165WB-BIRC的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 三星芯片型號：K4A8G165WB-BIRC
  • 制造商：SAMSUNG（三星半導體）
  • 功能類別：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 容量：8Gb
  • 架構：512M x 16
  • 速率：2400 Mbps
  • 工作電壓：1.2 V
  • 工作溫度：-40 ~ 95 °C
  • 封裝：96FBGA
  • 產品狀態(tài)：批量生產
  • K4A8G165WB-BIRC均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品,！
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