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圖片信息
STS5DP3LLH6圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：STS5DP3LLH6
  • 原始制造廠商：ST，意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - FET,，MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載STS5DP3LLH6的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求,！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STS5DP3LLH6
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
  • 系列：晶體管 - FET,，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：DeepGATE?, STripFET? H6
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類(lèi)型：2 個(gè) P 溝道（雙）
  • FET功能：邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng)
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：5A（Ta）
  • 不同Id,、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：56 毫歐 @ 2.5A,，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：639pF @ 25V
  • 功率-最大值：2.7W
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
  • 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
  • STS5DP3LLH6均從ST代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品！
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