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圖片信息
STGB30H60DLFB圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:STGB30H60DLFB
  • 原始制造廠商:ST,意法半導體
  • 技術標準參數:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  • 產品應用分類:晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載STGB30H60DLFB的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:STGB30H60DLFB
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  • 系列:晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):120A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,,30A
  • 功率-最大值:260W
  • 開關能量:393μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:149nC
  • 25°C時Td(開/關)值:-/146ns
  • 測試條件:400V,,30A,10 歐姆,,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • STGB30H60DLFB均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購,,長期充足現貨,,確保原裝正品!
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