深圳市南皇電子有限公司長期提供STGB19NC60KDT4（品牌: ST）充足現(xiàn)貨訂購,、免費樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：STGB19NC60KDT4制造商：STMicroelectronics描述：IGBT 600V 35A 125W D2PAK系列：晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：PowerMESH?零件狀態(tài)：有源IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：35A電流-集電極脈沖(Icm)：75A不同?Vge,、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，12A功率-最大值：125W開關(guān)能量：165μJ（開）,，255μJ（關(guān)）輸入類型：標準柵極電荷：55nC25°C時Td（開/關(guān)）值：30ns/105ns測試條件：480V,，12A，10 歐姆,，15V反向恢復時間(trr)：31ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3,，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABSTGB19NC60KDT4均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,，長期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品！
