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圖片信息
RGT00TS65DGC11圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：RGT00TS65DGC11
  • 原始制造廠商：ROHM,，羅姆
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載RGT00TS65DGC11的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨,，滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：RGT00TS65DGC11
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • 系列：晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：85A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：150A
  • 不同?Vge,、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
  • 功率-最大值：277W
  • 開(kāi)關(guān)能量：-
  • 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：94nC
  • 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：42ns/137ns
  • 測(cè)試條件：400V,，50A,，10 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：54ns
  • 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • RGT00TS65DGC11均從ROHM代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
    ROHM產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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