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圖片信息
NXH50C120L2C2ES1G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:NXH50C120L2C2ES1G
  • 原始制造廠商:ON,,ON安森美半導體
  • 技術標準參數(shù):IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 點擊此處下載NXH50C120L2C2ES1G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NXH50C120L2C2ES1G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:-
  • 配置:三相反相器,帶制動器
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):50A
  • 功率-最大值:20mW
  • 不同?Vge,、Ic時?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,,50A
  • 電流-集電極截止(最大值):250μA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):11.89nF @ 20V
  • 輸入:三相橋式整流器
  • NTC熱敏電阻:是
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:26-PowerDIP 模塊(1,199,,47,,20mm)
  • NXH50C120L2C2ES1G均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,,確保原裝正品,!
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