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圖片信息
NVMFS6H864NLWFT1G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：NVMFS6H864NLWFT1G
  • 原始制造廠商：ON,，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載NVMFS6H864NLWFT1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NVMFS6H864NLWFT1G
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
  • 系列：晶體管 - FET,，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：80V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：7A（Ta）,，22A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V,，10V
  • 不同Id,、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：29 毫歐 @ 5A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：9nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：431pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.5W（Ta）,，33W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • NVMFS6H864NLWFT1G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品,！
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