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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
HGT1S20N60C3S9A圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：HGT1S20N60C3S9A
  • 原始制造廠商：ON,，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 45A TO263AB
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載HGT1S20N60C3S9A的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：HGT1S20N60C3S9A
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 600V 45A TO263AB
  • 系列：晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)
  • IGBT類型：-
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：45A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：300A
  • 不同?Vge,、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：164W
  • 開關(guān)能量：295μJ（開）,，500μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：91nC
  • 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：28ns/151ns
  • 測試條件：480V，20A,，10 歐姆,，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片）,，TO-263AB
  • HGT1S20N60C3S9A均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,，長期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品！
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