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圖片信息
FDC645N_F095圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：FDC645N_F095
  • 原始制造廠商：ON,，ON安森美半導體
  • 技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載FDC645N_F095的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應,，最快當日出貨,，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：FDC645N_F095
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
  • 系列：晶體管 - FET,，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：5.5A（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V,，10V
  • 不同Id,、Vgs時導通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 6.2A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1460pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：SuperSOT?-6
  • FDC645N_F095均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,，長期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品！
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