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圖片信息
PSMN1R6-60CLJ圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:PSMN1R6-60CLJ
  • 原始制造廠商:NXP,,恩智浦半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 60V D2PAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載PSMN1R6-60CLJ的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • NXP恩智浦完整型號:PSMN1R6-60CLJ
  • 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET N-CH 60V D2PAK
  • 系列:-
  • FET 類型:-
  • FET 功能:-
  • 漏源極電壓 (Vdss):-
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):-
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):-
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
  • 功率 - 最大值:-
  • 安裝類型:*
  • 封裝/外殼:*
  • 供應(yīng)商器件封裝:*
  • PSMN1R6-60CLJ均從NXP代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,,長期充足現(xiàn)貨,,確保原裝正品!
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