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深圳市南皇電子有限公司長期提供APTM10DSKM09T3G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購,、免費樣品
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圖片信息
APTM10DSKM09T3G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：APTM10DSKM09T3G
  • 原始制造廠商：Microsemi,，美高森美
  • 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  • 產(chǎn)品應用分類：場效應管模塊
  • 點擊此處下載APTM10DSKM09T3G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APTM10DSKM09T3G
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  • 系列：-
  • FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：139A
  • 不同 Id,、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 69.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：350nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9875pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：390W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP3
  • 供應商器件封裝：SP3
  • APTM10DSKM09T3G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,，長期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品,！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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