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圖片信息
APTGT75H60T1G圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：APTGT75H60T1G
  • 原始制造廠商：Microsemi,，美高森美
  • 技術標準參數：POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
  • 產品應用分類：IGBT模塊
  • 點擊此處下載APTGT75H60T1G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APTGT75H60T1G
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
  • 系列：-
  • IGBT 類型：溝道和場截止
  • 配置：全橋反相器
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
  • 功率 - 最大值：250W
  • 不同 Vge,、Ic 時的 Vce(on)：1.9V @ 15V，75A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）：250μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：4.62nF @ 25V
  • 輸入：標準
  • NTC 熱敏電阻：是
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP1
  • 供應商器件封裝：SP1
  • APTGT75H60T1G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,，長期充足現貨,，確保原裝正品！
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