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圖片信息
IRG8P08N120KD-EPBF圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：IRG8P08N120KD-EPBF
  • 原始制造廠商：Infineon,，英飛凌
  • 技術標準參數(shù)：IGBT 1200V 15A TO247AD
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載IRG8P08N120KD-EPBF的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IRG8P08N120KD-EPBF
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：IGBT 1200V 15A TO247AD
  • 系列：晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類型：-
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：15A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：15A
  • 不同?Vge,、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，5A
  • 功率-最大值：89W
  • 開關能量：300μJ（開）,，300μJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：45nC
  • 25°C時Td（開/關）值：20ns/160ns
  • 測試條件：600V,，5A，47 歐姆,，15V
  • 反向恢復時間(trr)：50ns
  • 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • IRG8P08N120KD-EPBF均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品,！
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