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圖片信息
BSC750N10ND G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:BSC750N10ND G
  • 原始制造廠商:Infineon,,英飛凌
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  • 產(chǎn)品應用分類:場效應管陣列
  • 點擊此處下載BSC750N10ND G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:BSC750N10ND G
  • 制造廠家名稱:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):13A
  • 不同 Id,、Vgs 時的 Rds On(最大值):75 毫歐 @ 13A,,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 12μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):720pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:26W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-PowerVDFN
  • 供應商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  • BSC750N10ND G均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,,確保原裝正品,!
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