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    圖片信息
    IXFN73N30Q圖片
    基本技術(shù)信息:
  2. 電子器件型號:IXFN73N30Q
  3. 原始制造廠商:IXYS
  4. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
  5. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,,MOSFET - 單個(gè)
  6. 點(diǎn)擊此處下載IXFN73N30Q的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  7. 現(xiàn)貨供應(yīng),,最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求,!
  8. 技術(shù)參數(shù)詳解:
  9. 制造商產(chǎn)品型號:IXFN73N30Q
  10. 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
  11. 描述:MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
  12. 系列:晶體管 - FET,,MOSFET - 單個(gè)
  13. 產(chǎn)品系列:HiPerFET?
  14. 零件狀態(tài):有源
  15. FET類型:N 通道
  16. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  17. 漏源電壓(Vdss):300V
  18. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):73A(Tc)
  19. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  20. 不同Id,、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):45 毫歐 @ 500mA,,10V
  21. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 4mA
  22. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):195nC @ 10V
  23. Vgs(最大值):±30V
  24. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):5400pF @ 25V
  25. FET功能:-
  26. 功率耗散(最大值):481W(Tc)
  27. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  28. 安裝類型:底座安裝
  29. 器件封裝:SOT-227B
  30. IXFN73N30Q均從IXYS代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,,確保原裝正品,!
  31. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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