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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
IXFA3N120TRL圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:IXFA3N120TRL
  • 原始制造廠商:IXYS
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:FET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載IXFA3N120TRL的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • IXYS公司完整型號: IXFA3N120TRL
  • 制造廠家名稱: IXYS
  • 功能總體簡述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 系列: HiPerFET?
  • FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 3A(Tc)
  • 不同?Id,,Vgs 時的?Rds On(最大值): 4.5 歐姆 @ 1.5A,,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 39nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1050pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 200W
  • 安裝類型: 表面貼裝
  • 封裝/外殼: TO-263-3,,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝: TO-263
  • IXFA3N120TRL均從IXYS代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,,長期充足現(xiàn)貨,,確保原裝正品!
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