Nexperia新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%,。TO-247 封裝的新器件,，導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到僅 41mΩ（最大值，25℃的典型值為 35mΩ）,，同時(shí)具有高的柵級(jí)閥值電壓和低反向?qū)妷骸?..
Nexperia新款P溝道MOSFET面向極性反接保護(hù),；作為高邊開關(guān)，用于座位調(diào)節(jié),、天窗和車窗控制等各種汽車應(yīng)用,。它們也適用于5G基站等工業(yè)應(yīng)用場景。...
Nexperia MOSFET采用了DFN0606封裝,，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間,。由于采用了先進(jìn)工藝流程,，這些新器件提供低導(dǎo)通電阻RDS(on)，與競爭對(duì)手產(chǎn)品相比減小了60%以上...
據(jù)披露,，F(xiàn)rans Scheper還將在未來一段時(shí)間內(nèi)擔(dān)任董事長私人顧問,，繼續(xù)幫助實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)過渡。董事會(huì)謹(jǐn)對(duì)首席執(zhí)行官（之前擔(dān)任NXP 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理）Frans Scheper所取得的成就表示由衷的感謝和尊重,。...
安世半導(dǎo)體新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅（SCR）技術(shù),，USB4TM和Thunderbolt接口設(shè)計(jì)工程師將會(huì)特別感興趣。該器件可實(shí)現(xiàn)極低電容（低至0.1 pF）,；極低鉗位電壓 動(dòng)態(tài)電阻低至0.1 Ω）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能...
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